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【共同発表】IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバ …
安打:
https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/ja/news/3125/
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絶縁材料の要素
2019-6-26 · 強誘電体二酸化ハフニウム(HfO 2 ) 注4) をゲート絶縁 膜としたFeFETは、低消費電力で大容量なメモリーデバイスとして注目を集めていますが、シリコンをチャネルと ...
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